用濺射法在矽襯底上制備了多層MoSi _ 2/SiC
濺射來自平面，而碳化矽的磁控濺射來自射頻二極管。那
在周期性合格樣品下制備了MoSi _ 2/SiC層狀復合材料。
這兩個目標，在這樣的速度和目標功率下，構成了SiC和MoSi2層。
標稱厚度分別為3納米和10納米(Saigon等人，1995)。圖7.5
顯示(1)明場、橫斷面透射電子顯微鏡的圖像
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(透射電子顯微鏡)-用於沈積mosi2/sic的多層膜，以及項目(b)的相應選擇。
區域衍射圖顯示薄膜具有非晶結構。然而，熱
mosi2/sic多層膜中的處理誘導結晶。圖7.6
顯示了在65438±0800℃和65438±0h退火後的低倍明場圖像
多層薄膜。