在1930中，利林費爾德和海爾首次提出了概念上類似的結構並獲得專利，但直到1960才成功展示。主要技術問題是表面態的控制和氧化物與半導體界面的還原。最初，只可能耗盡現有的N型溝道，在源極和漏極之間有壹個溝道，即使沒有施加柵極電壓，也稱為“耗盡型”器件。表面態的減少使得生產設備沒有傳導通道，除非施加正面電壓。這種設備是壹個參考對，氧化物半導體的界面現在集中在器件上。薄(~ 10 nm厚)“反型”層的電子。和大多數MOSFETs都是“改進模式”器件。
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