存儲器時序(英文:Memory timings或RAM timings)是描述同步動態隨機存儲器(SDRAM)性能的四個參數:CL、TRCD、TRP和TRAS，單位為時鐘周期。它們通常被寫成由破折號分隔的四個數字，例如7-8-8-24。第四個參數(RAS)經常被省略，有時會增加第五個參數(命令速率)，通常是2T或1T，也寫成2N或1N。這些參數指定了影響隨機存取存儲器速度的延遲時間。數字越小，通常意味著性能越快。決定系統性能的最後壹個因素是實際延遲時間，通常以納秒為單位。